BJ50-BDT-P Фотоэлектрический датчик

Описание товара BJ50-BDT-P Фотоэлектрический датчик

Технические характеристики BJ50-BDT-P Фотоэлектрический датчик с функцией подавления заднего фона (BGS), Объект - полупрозрачн, непрозрачный, Раст. сраб 10-50мм, Режим страб: на свет/затемнение, выход - PNP,:

• Источник питания: 12-24 В= ±,10% (макс. пульсация 10 %)
• Рабочая температура: 25С ... +55С
• Габаритные размеры: 10,6x32x20 мм
• Вес: 50 г
• Индикаторы: красный, зеленый
• Кабель: диаметр 3,5 мм, 3 жилы, длина 2 м
• Степень защиты: IP65(IES стандарт)
• Расстояние срабатывания: 10-50 мм
• Источник света: красный светодиод (660 нм)
• Тип срабатывания: диффузное оражение с функцией подавления заднего фона
• Время срабатывания: макс. 1,5 мс
• Воспринимаемый объект: полупрозрачный, непрозрачный
• Выход: PNP с открытым коллектором
• Режим работы: выбирается переключателем: на свет/на затемнение
• Регулятор чувствительности: встроенный